[更名为10nm ]英特尔在清洗底部后将使用加号 10nm +称为10SF下一代10nm ++称为10SFE

英特尔曾经宣布推迟7nm工艺，这使外界非常担忧。然而，在昨晚举行的“ 2020年英特尔架构日”上，英特尔发布了全新的10nm SuperFin技术。该官员指出，这是历史上最强大的。单节点中的性能增强可以带来与全节点转换相当的性能改进。在SuperFin技术的支持下，它几乎等同于将10纳米工艺转变为近7纳米工艺。

在“ 2020年英特尔架构日”上，首席架构师Raja Koduri表示，经过FinFET晶体管技术多年努力之后，英特尔正在重新定义该技术，以实现历史上最大的单节点技术升级，提供相当于转换的性能改进新的过程节点技术。

英特尔新的10nm SuperFin晶体管技术结合了英特尔增强的FinFET晶体管和Super MIM（金属-绝缘体-金属）电容器。 SuperFin技术提供了增强的源/漏外延，改进的栅极制造工艺和附加的栅极间距，并通过以下方法：

获得了更高的性能：

●改善源极和漏极结构的外延生长，以增加应力并降低电阻，以允许更多电流通过沟道

●改进了栅极工艺，以提高通道迁移率，使电荷载流子移动得更快

●其他网格间距选项可以为需要极高性能的特定芯片功能提供更高的驱动电流

●新型薄阻挡层将通孔电阻降低了30％，并提高了互连效率

●与行业标准相比，英特尔的Super MIM电容器在相同的占位面积上可提供5倍的电容，从而减少了电压骤降并显着提高了产品性能。这项技术是通过一种新型的Hi-K电介质材料实现的，该材料堆叠在厚度仅为數埃（10-10米）的超薄层中，形成重复的“ 超晶格”结构。这是一项行业领先的技术，领先于其他制造商的现有处理能力

英特尔声称，通过增强SuperFin晶体管技术等创新，10nm工艺可以使节点性能提高15％以上。根据台积电之前发布的数据，其5纳米制程相对于其先前的版本。7纳米制程的性能提升仅为15％。

如果英特尔第一代10nm工艺的性能已经可以与台积电7nm工艺的性能相媲美，那么基于SuperFin晶体管技术的10nm工艺的性能可能已经与020相媲美。 -2 010- 7的5nm工艺是可比的。这就是为什么英特尔将SuperFin晶体管技术称为“有史以来最强大的单节点性能增强，并且其带来的性能提升可与全节点转换媲美”。

关于命名方法，英特尔对14nm工艺节点的连续抛光导致外界在14nm之后添加多个“ +”号。为了不再为将来的新工艺中的“ +”符号所困扰，英特尔正式在此简介中将新的10nm +工艺始终命名为“ 10nm SuperFin”，简称10SF。至于下一代英特尔，则无需引入“ 10nm ++”。简称为10nm SuperFin的下一代工艺简称为“ 10nm Enhanced SuperFin”。 10ESF。

根据英特尔的说法，将在即将面世的第11代新Core系列“ Tiger Lake”移动版处理器中首次使用10nm SuperFin技术。预计OEM厂商将在今年第四季度的节日季节推出Tiger Lake处理器。新的移动计算机产品。

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